ナノ分子膜の変位電流と光第2次高調波および量子的ドメイン形状の発現
Project/Area Number |
07F07387
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 外国 |
Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
岩本 光正 Tokyo Institute of Technology, 大学院・理工学研究科, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
WEIS Martin 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 外国人特別研究員
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Project Period (FY) |
2007 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2009: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2007: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
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Keywords | 水面上単分子膜 / マックスウェル変位電流 / 光第2次高調波発生(SHG) / 単分子膜ドメイン / キャリアトラップ |
Research Abstract |
本年度は、昨年度に引き続き、不足している実験や解析等を進めるとともに、新たな進展があった項目について追加検討を行った。また、当該研究の最終年度にあたるため、これまで得られた知見をもとに研究のまとめを行った。 まず、有機FETに対する時間分解顕微SHG測定に関しては、昨年度に引き続き分布定数回路に基づく等価回路モデルを用いた解析を試み、電荷が界面を輸送される様子について、界面における充電現象と関連させて説明することができた。過渡的なキャリア輸送に及ぼす界面トラップの影響についても検討を行い、トラップによりキャリアの輸送が阻害され、実効的な移動度の低下を招く一方、バイアス印加によりトラップを埋めた状態で測定することで、トラップの無いデバイスにおける輸送特性と同等の結果が得られるということがわかった。また、時間分解顕微SHG測定と並行して、TOF法による過渡的な状態に関する評価も行い、キャリア輸送特性のゲート電圧依存性や、チャネル長依存性を検討し、SHGと同じく等価回路モデルから説明をすることに成功した。 一方、ペンタセンのMIM単層構造試料における、電気特性の光照射依存性を検討し、光起電力の発生や、酸素トラップの効果について検討を行った。トラップに関しては、昨年度までにナノ粒子による材料中のトラップ制御を成功させており、この手法も含めてトラップエンジニアリングと呼ぶ手法を確立することができた。
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Report
(3 results)
Research Products
(53 results)