カーボンナノチューブ機能性プローブの開発とナノ計測応用
| Project/Area Number |
07J00418
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Research Field |
Nanostructural science
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
村田 祐也 Osaka University, 大学院・工学研究科, 特別研究員(PD)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 2008: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Keywords | グラファイト / 走査トンネル顕微鏡 / 炭化シリコン / 酸化チタン / カーボンナノチュープ / 金属被膜 / 4端子電気伝導計測 / ナノ結晶 / エルビウムシリサイド / 凹凸構造 / コバルトシリサイド |
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| Research Abstract |
カーボンナノチューブ機能性プローブの開発に応用するために、酸化チタンと炭化シリコン基板上でのグラファイト膜の成長過程その場観察、およびパターン化した炭化シリコン基板上でのグラファイト膜成長とそのデバイス利用を目的として研究をおこなった。
1,グラファイト膜の成長過程その場観察
高温の酸化チタンおよび炭化シリコン基板上にエチレンガスを蒸着し、走査トンネル顕微鏡によるその場観察をおこなった。酸化チタン基板上ではエチレンガスの蒸着により酸化チタン表面ステップの成長が観察された。このことは、エチレンガスの供給が、雰囲気中の残留酸素の表面吸着を促進することを示している。また炭化シリコン基板上では1000℃でグラファイトステップ構造の成長プロセスが観察された。
2,パターン化した炭化シリコン基板上でのグラファイト膜成長とそのデバイス利用
電子ビームリソグラフィにより炭化シリコン基板上をパターンエッチングし、その後真空中での加熱によりグラファイト膜を成長させた。このパターン化グラファイト膜を金/ポリイミド膜のスタンプにより炭化シリコン基板から引きはがし、別に用意した酸化シリコン基板に移し替えた。一方、パターン化しなかった炭化シリコン基板でも同様の実験をおこなったが、グラファイト膜を移し替えることはできなかった。パターン化によって炭化シリコン/グラファイト、およびグラファイト/金界面の吸着力が変化したものと考えられる。
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Report
(2 results)
Research Products
(5 results)
