22nm以下のパターニングを実現する自己組織的パターン縮小法に関する研究
Project/Area Number |
07J07864
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 国内 |
Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
富樫 秀晃 Tohoku University, 学際科学国際高等研究センター, 特別研究員(PD)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
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Budget Amount *help |
¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2007: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
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Keywords | 酸化 / Si(110) / エッチング / 走査トンネル顕微鏡 / 放射光光電子分光 / ボイド / シミュレーション / アニール |
Research Abstract |
1.自己組織的パターン縮小法微視的過程の理解 自己組織的パターン縮小(SSP)法実現の鍵を握るSi酸化過程を詳細に理解するため,研究代表者はこれまでにSi(001)-2x1初期酸化過程を走査トンネル顕微鏡(STM)により研究してきた.本年度はSSP法の実現を目指し,Si酸化過程のさらなる理解を深めるため,Si(110)-16x2初期酸化過程をSTMと放射光光電子分光によって詳細に観察しSi(001)-2x1酸化過程と比較した.Si(110)面は,次世代高速デバイスや三次元トランジスタに用いられる面方位として近年注目を集めているほか,量子ドット等のナノ構造を一次元的に配列するテンプレートとしても期待されており,同表面へのSSP法の適用は実現性が高いのみならずインパクトが大きい.観察の結果,同表面では他の面では見られない急速初期酸化現象が生じることを初めて見出し,また,同表面では酸化時にエッチングが生じにくく,表面が荒れにくい性質を有することが示唆された.Si酸化膜マスクパターン縮小は,これまでのシミュレーション結果から,比較的エッチングが生じやすい高温・定圧領域で行うことが必要であると考えている.エッチングが生じにくいSi(110)面の性質はSSP法の適用にとって非常に朗報である. 2.酸化膜ボイド形成技術の確立 SSP法の実証および確立には酸化膜に意図的にボイドを形成する必要がある.そこで真空アニール法によるボイド形成技術の確立を行い,その評価を含め,以下の3項目の成果を得た.(1)SiO2/Si基板への真空中高温アニールによって,酸化膜ボイドを形成する技術を確立した,(2)形成した酸化膜ボイドにSiCを選択エピすることに成功し,ボイドサイズおよび密度を原子間力顕微鏡を用いて高精度に観察する技術を立ち上げた.(3)ボイド形成の再現性やサイズ分散データを得た.
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Report
(1 results)
Research Products
(3 results)