ナノ狭窄電子系構造体薄膜の作製とそのストレージデバスへの適用
Project/Area Number |
07J07868
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 国内 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
河崎 昇平 Tohoku University, 大学院・工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Project Period (FY) |
2007 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥2,700,000 (Direct Cost: ¥2,700,000)
Fiscal Year 2009: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2008: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2007: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
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Keywords | CCP-GMR素子 / NCMR素子 / 自己組織化 / 導電チャネル / Conductive AFM / 磁気ヘッド素子 / ナノ狭窄構造体 / 原子間力顕微鏡 / その場観察法 / 単一の導電チャネルの抵抗計測 |
Research Abstract |
電流狭窄型巨大磁気抵抗効素子(以下,CCP-GMR素子と略す)や強磁性ナノ狭窄磁壁型抵抗素子(以下,NCMR素子と略す)は,高密度磁気記録用の再生素子として,0.2~0.3Ωum^2程の中素子抵抗かつ高MR変化率の磁気抵抗素子特性を実現可能である,著者らが新たに開発したスピンバルブ型の素子である.本研究では,これらの磁気抵抗素子特性と,ナノ狭窄構造体中に自己組織化的に形成されるナノメータサイズの金属伝導体部(導電チャネル)および絶縁体部の伝導特性,導電チャネルの面内径との関係に着目し,導電チャネルの直接観察およびチャネル抵抗の直接計測を行い,磁気抵抗特性の向上の指針を得るためのConductive AFMによる導電チャネルの真空中その場計測法を確立した.また,この計測法を用いて,導電チャネルの形成メカニズムのモデル化を行い,導電チャネル部の伝導特性と磁気抵抗率の関係を明らかにした.
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Report
(3 results)
Research Products
(8 results)