回路シミュレーションのためのMOSFETモデルHiSIM
Project/Area Number |
07J09478
|
Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
|
Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 国内 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
|
Research Institution | Hiroshima University |
Principal Investigator |
貞近 倫夫 Hiroshima University, HiSIM研究センター, 特任准教授
|
Project Period (FY) |
2007 – 2009
|
Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
Budget Amount *help |
¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 2008: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2007: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
|
Keywords | MOSFET / SOI-MOSFET / Multi Gate MOSFET / コンパクトモデル / HiSIM / コンパクモデル |
Research Abstract |
本年度はSOI-MOSFETのコンパクトモデル(HiSIM-SOI)を実用化する目的で、以下の作業を行った。 1.SOI-MOSFETにおけるフローティング効果の解析とモデル化 に関しては、実際のSOI-MOSFETを実測し基盤浮遊効果を観測した。またこの実測値を用いて開発したトランジスタモデルHiSIM-SOIの評価を行った。測定結果をもとに基盤浮遊効果のモデルに修正を加えた。 2.SOI-MOSFETモデルの実用化に向けたソースコード精査 を行った。今年度は回路モデルとして実用上問題となってくる計算速度の向上を図ったソースコードの精査を行った。また同時にモデルの計算結果に不連続や、非物理的な振る舞いがある場合、正確な回路計算の妨げになるので、この点においても改善をすすめた。 またDouble Gate MOSFETモデル(HiSIM-DG)を開発するために、 3.電流式を改良した。以前のモデルでは従来のBulk-MOSFETの式を流用していたのを、今回の開発でDG-MOSFETの構造を考慮したものに変更した。 4.非対称デバイスへのモデル拡張 を行った。この結果はM2の学生により2009年5月にNSTI NANOTECH2009において発表される。
|
Report
(2 results)
Research Products
(5 results)