ゾルゲル法を用いた六方晶バリウムフェライト薄膜の応用に関する研究
Project/Area Number |
08F08067
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 外国 |
Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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Research Institution | Shinshu University |
Principal Investigator |
森迫 昭光 Shinshu University, 工学部, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
GHASEMI Ali 信州大学, 工学部, 外国人特別研究員
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Project Period (FY) |
2008 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 2009: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2008: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
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Keywords | 六方晶フェライト / ゾルゲル法 / 高周波吸収体 / バリウムフェライト薄膜 / 異方性磁界 / ストロンチウムフェライト薄膜 / フェライト低温形成 / 酸化物磁性薄膜 / ゾルゲル / 高周波電波吸収 / 微粒子 / 記録媒体 / 誘電体磁性体複合体化 / 電磁ノイズ抑制 / バリウムフェライト |
Research Abstract |
ここではゾルゲル法を用いた六方晶フェライト薄膜の応用に関して、極薄薄膜で高密度磁気記録媒体への応用の基礎研究や数ミクロン以上の極厚薄膜で電波吸収体への応用に関する研究を行なった。自己組織化下地層を用いた高密度垂直磁気記録用パターン媒体の研究に関しては表面平滑性等の諸問題があることが明らかになったが、解決策は見出してない。一方電波吸収体に関しては、フェライトの低温合成や当初予定していなかったカーボンナノチューブとの複合体形成を可能とし、また電波反射係数の極めて少ない複合体を形成することが可能となった。高周波吸収体、いわゆるギガ帯域のEMI雑音吸収に関して基本的に重要な因子は、自然共鳴周波数(ここでは吸収すべき周波数)を決定する六方晶フェライトの異方性磁界Hkである。今年度は種々の添加元素を用いた異方性磁界を制御する事が可能であることを明らかにした。またそれに応じて、使用可能な帯域幅も広帯域化が可能であることを明らかにした。加えて、六方晶フェライトでは無いが、スピネル系のフェライトに関して200℃前後での低温形成も可能になっている。
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Report
(2 results)
Research Products
(10 results)