半導体ディバイスにおけるカソードルミネッセンス効果
| Project/Area Number |
08F08784
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
PEZZOTTI Giuseppe (2009) Kyoto Institute of Technology, 工芸科学研究科, 教授
PEZZOTT G (2008) Kyoto Institute of Technology, 工芸科学研究科, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
PORPORATI A.Alan 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 外国人特別研究員
PORPORATI A. Alan 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2008 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2009: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | 半導体材料 / カソードルミネッセンス / 残留応力 / 歪みポテンシャル / 電子プローブ |
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| Research Abstract |
半導体材料における応力/歪みに関するサブミクロンスケールの定量的解析を海外の様々な研究グループと協力体制のもと研究を実施した。この研究では、応力/歪み印可に伴い、スペクトルバンドの波数変化が生じる現象に基づく、ピエゾ分光法を利用して応力/歪み解析を高空間分解で行った。
異なるドーピングレベルを持つ既知の系列である、一連のIII-V族半導体(GaAs,AlGaAs等)の試料におけるカソードルミネッセンスによるバンドギャップ発光は、厳密に分析される必要に応え、発光バンドの形態論におけるキャリア濃度の寄与を研究した。発光スペクトルの特性(半値幅、ピーク位置、強度等)からキャリア濃度及び歪みのそれぞれの測定を行うことに成功した。AlGaAs及びInGaP結晶における応力とカソードルミネッセンス発光を繋ぐケース(歪みポテンシャル)を正確に測定し、発光における歪みの影響を及ぼす電子ディバイスを分析する道を開いた。一方、GaN物質に同じような測定する目的でまず吸収の影響を解明する必要があり、カソードルミネッセンス分光にGaNの独特な吸収現象を定める式を発表した。
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Report
(2 results)
Research Products
(15 results)
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[Journal Article] Optical and structural characterization of Erbium-doped ion-implanted tellurite glasses for active integrated optical devices2008
Author(s)
S. BERNESCHI, M. BRENCI, G. NUNZI CONTI, S. PELLI, G. C. RIGHINI, M. BETTINELLI, A. SPEGHINI, I. BANYASZ, M. FRIED, N. Q. KHANH, F. PASZTI, A. WATTERICH, A. LETO, G. PEZZOTTI, A. A. PORPORATI
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Journal Title
Advances in Science and Technology 55
Pages: 68-73
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Peer Reviewed
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