ヘテロ接合界面の形成過程に対する高分解能プロファイル電子顕微鏡観察
Project/Area Number |
10750020
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Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Research Field |
表面界面物性
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Research Institution | Waseda University |
Principal Investigator |
三島 哲也 早稲田大, 助手 (30298195)
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Project Period (FY) |
1998
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 1999)
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Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 1999: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 1998: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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Keywords | 金属 / 半導体 / 界面 / 電子顕微鏡 / InSb / Au / TEM / プロファイル |
Research Abstract |
高分解能プロファイル電子顕微鏡法は、試料端面の原子配列を横方向から観察(profile観察)するものである。この手法の特長は、ほとんどの表面構造解析手法が持ち合わせていない、吸着とそれに続く薄膜成長過程のような、界面が埋もれながら形成してゆく過程を直接観察することができるという点にある。 常温に保持したInSb{111}A,B-(2×2)表面にAuを蒸着すると、被覆量約2MLで(√3×√3)タイプの透過電子回折パターンが出現することが知られている。本研究では、Au被覆量0〜約5原子層(ML)の範囲においてAu/InSb(111)B-(2×2)系に起こる変化の過程を、プロファイルTEM法を用いて詳細に動的観察した。Au蒸着の初期(約0.5MLまで)では、InSb(111)B-(2×2)表面のSb-trimerが徐々に壊れていった。さらにAu蒸着を行うと、AuとInSb基板の反応が進み、被覆量約2MLて新たな反応相が出現した。この反応相を同定するために、反応相のプロファイルTEM像をフーリエ変換し回折パターンを求めた。この回折パターンと、(√3×√3)タイプのTEDパターンとに現れる全ての回折スポットを説明できる合金相はAu_9In_4であった。Au_9In_4合金相はγ,-brass構造をもち、基板と(111)Au_9In_4//(111)InSb、[11^^-0]Au_9In_4//[11^^-0]InSbのエピタキシャル方位関係をもつ。このAu_9In_4合金相に対する、マルチスライス法を用いて得たシミュレーション像は、実際のプロファイルTEM像と極めて良い一致を示した。以上の解析結果から、(√3×√3)タイプのTEDパターンがAuの吸着構造からのものではなく、Au_9In_4合金相によるものであることが明らかとなった。
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Report
(1 results)
Research Products
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