ゾルゲル膜で挟まれたPDA光導波路構造でのATR形高速光スイッチング
| Project/Area Number |
10750036
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied optics/Quantum optical engineering
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| Research Institution | The University of Tokushima |
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Principal Investigator |
岡本 敏弘 徳島大学, 工学部, 助手 (60274263)
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| Project Period (FY) |
1998 – 1999
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1999)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 1999: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 1998: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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| Keywords | ゾルゲル膜 / ポリジアセチレン / エリプソメトリー / 全反射減衰(ATR)法 / 3次非線形光学効果 / パルスナローイング / ゾンゲル膜 / 光導波路 / 光スイッチング |
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| Research Abstract |
1.ゾルゲル溶液としてテトラエトキシシランとエチルアルコール、純水を主成分とした溶液に、触媒として塩酸を用い、さらに粘度を増すためにヒドロキシプロピルセルロースを加えた。酸に強い高屈折率ガラスS-TIH6基板上にディップコーティング法でSiO_2ゾルゲル膜を作製し、焼結(500℃、10分間)させた。波長546.1nmの単色光による干渉パターンから1回のコーティング膜の評価を行った。様々な条件で作製した結果、ゾルゲル溶液の粘度が18mPa・sec、引き上げ速度0.25mm/sec、引き上げ時の湿度40%のとき均質で厚い膜が得られた。波長632.8nmのHe-Neレーザ光によるエリプソメトリー法による結果からこの膜の膜厚は約370nm、誘電率は2.05であった。
2.ディップコーティング、焼結の繰り返しにより厚い膜を作ることを試みた。基板は15×25×5mmのS-TIH6ガラスを用いた。単層膜では均質な膜が形成されるが、コーティングを繰り返すにつれ、膜の周辺から小さな亀裂が生じ、表面凹凸が大きい膜になった。膜面の中央は6回のコーティングまで均質な膜であった。7回コーティングした膜の膜厚は3160nm、誘電率は1.65から2.20の間であることがわかった。
3.TaFD9プリズム-屈折率整合油-ポリジアセチレン(PDA)-C_4UC4蒸着膜-BK7ガラス基板の全反射減衰(ATR)構造で、モードロックQスイッチNd:YAGレーザ(波長1319nm)を光源とする導波実験を行った。その結果3次非線形光学効果によるパルスナローイング現象が観測された。
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Report
(2 results)
Research Products
(2 results)
