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高純度^<28>Si同位体バルク結晶成長

Research Project

Project/Area Number 11875008
Research Category

Grant-in-Aid for Exploratory Research

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Applied materials science/Crystal engineering
Research InstitutionKeio University

Principal Investigator

伊藤 公平  慶應義塾大学, 理工学部, 講師 (30276414)

Project Period (FY) 1999 – 2000
Project Status Completed (Fiscal Year 2000)
Budget Amount *help
¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 2000: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 1999: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Keywords半導体 / 同位体 / 単結晶成長 / バルク / シリコン
Research Abstract

半導体用シリコン(Si)は人類が作製した単結晶として最も純度が高く、最も結晶性の優れた材料と言っても過言ではない。それゆえに、現在の超高集積回路が実現された。しかし、地球上に存在するすべてのSi中には^<28>Si、^<29>Si、^<30>Siの3種類の安定同位体が存在し、それぞれの組成比は92.2%(^<28>Si)、4.7%(^<29>Si)、3.1%(^<30>Si)と常に一定である。異なる同位体が同一結晶内に存在するということは、結晶を構成する原子の質量にばらつきがあることを意味し、また、核スピン(^<29>Si同位体のみが核スピンを有する)の分布にもばらつきがあることを意味する。従来、シリコン中の同位体組成を変化させて「質量分布」や「核スピン分布」を制御した例はほとんどなかった。
本研究では^<28>Si安定同位体純度を99.92%まで高めた半導体シリコン(Si)バルク単結晶の成長に世界に先駆け成功した。^<28>Siバルク単結晶の熱伝導度は、通常のSiの熱伝導度と比較して室温で60%、100℃で40%向上することが確認され、将来のLSI基板材料として大きな期待が寄せられている。また、^<28>Siバルク単結晶は、量子コンピュータを実現する材料、アボガドロ定数を精確に決定する世界アボガドロ定数標準、ビッグバン理論の検証に関する宇宙物理学研究用センサー、無重力空間における溶融実験に大きな進歩を及ぼす材料として期待されている。本研究で成長された結晶は上記各方面の研究・開発に利用されることになる。

Report

(2 results)
  • 2000 Annual Research Report
  • 1999 Annual Research Report
  • Research Products

    (4 results)

All Other

All Publications (4 results)

  • [Publications] 伊藤公平: "次世代コンピュータのためのシリコン単結晶"パリティ. 8月号vol.15. 34-35 (2000)

    • Related Report
      2000 Annual Research Report
  • [Publications] 伊藤公平: "同位体制御による高熱伝導度シリコン基板の開発-現状と展望-"μTechnology Business. 11月号. 27-30 (1999)

    • Related Report
      2000 Annual Research Report
  • [Publications] K.Takyu,K.M.Itoh,K.Oka,N.Saito,V.I.Ozhogin: "Growth and Characterization of the Isoropically Enriched ^<28>Si Bulk Single Crystal"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. L1493-L1495 (1999)

    • Related Report
      2000 Annual Research Report
  • [Publications] K.Takyu,et.al.: "Growth and Characterization of the Isotopically Enriched ^<28>Si Bulk Single Crystal"Japanese Journal of Applied Physics. 38. L1493-L1495 (1990)

    • Related Report
      1999 Annual Research Report

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Published: 1999-04-01   Modified: 2016-04-21  

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