液晶性半導体を用いた偏光発光可能な高機能電界発光素子
| Project/Area Number |
12750012
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
舟橋 正浩 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (90262287)
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| Project Period (FY) |
2000 – 2001
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2001)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2001: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2000: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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| Keywords | 液晶 / 光伝導性 / 有機半導体 / 電界発光 / 強誘電相 / スメクティック / 有機電界発光素子 / 強誘電性液晶 / 電荷輸送 / 蛍光スペクトル / キラリティー |
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| Research Abstract |
電界発光に有利な、高い両極性の電荷輸送能を持つ液晶性有機半導体、dialkyl terthiophene誘導体の電荷輸送特性をtransient photocurrent measurementにより検討した。キャリア移動度は、液晶相の層内の分子配向秩序が高次になるに従い、上昇した。層内の秩序がないSmC相では、10^<-4>cm^2/Vsのオーダーであったが、SnB相では、10^<-3>cm^2/Vs、SmG相では、10^<-2>cm^2/Vsの値に達した。また、ホールのみならず、電子もほぼ同程度の高い移動度を示した。このような両印極性の電荷輸送能を利用して、単層型の電界発光素子の作製を試みた、電極にITOを用いた厚さ2μmの素子では、50Vの電圧印加時に、80cd/m^2の発光輝度を示した。発光輝度は低いが、試料を薄膜化する事により、大幅な改善が可能であると期待できる。また、電極基板表面をラピングすることにより、容易に良好な一軸配向を実現することができ、一軸配向した試料からは、明確な偏光発光を確認することができた。偏光の二色比は10:1以上であり、従来のポリマー系では得られなかった高品位の偏光を得ることができた。液晶分子に不斉炭素を有するアルキル鎖を導入することにより、強誘電相が発現し、電場印加により、分子配向を制御できることがわかった。しかし、電界発送の偏光面の動的制御には至らなかった。
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Report
(2 results)
Research Products
(5 results)
