長波長帯半導体量子ドットレーザーのための新素材・新形成法に関する研究
| Project/Area Number |
12750020
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | The Institute of Physical and Chemical Research |
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Principal Investigator |
武内 道一 理化学研究所, 半導体工学研究室, 研究員 (60284585)
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| Project Period (FY) |
2000 – 2001
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2001)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2001: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2000: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
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| Keywords | 化合物半導体 / 結晶成長 / 長波長発光素子 / 格子欠陥 / InGaAsN / 量子ドット / 長波長帯レーザー / アンチサーファクタント / クリティカルシックネス |
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| Research Abstract |
長波長帯半導体レーザー素子へ量子ドット構造を適応すべく計画した本研究における本年度の成果は以下のようになっている。
・アンチサーファクタントの結晶成長中における働き、転位との相関、物性的特質
アンチサーファクタントとは2次元成長を行うヘテロ構造系においても、3次元構造を形成することを可能にする結晶成長その場プロセスにおける新概念である。GaAs系に対しては窒素がその役目を果たし、供給量にて微小構造の制御が可能である。また、同様にGaN系半導体おいても、Siにて量子ドット構造の形成が確認できている。アンチサーファクタント導入による転位との相関関係を調べ、得にGaN系半導体では非常に効率のよい転位低減技法となることを突き止めている。
(1)微傾斜基板を用いることで3次元構造形成様式を制御できることを突き止めた。
(2)次元構造の初期密度の制御が、その後の結晶成長による膜品質に大きな影響を与えることを突き止めた。
このように、アンチサーファクタント量子構造の制御性、結晶品質に関して多くの知見を得た。
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Report
(2 results)
Research Products
(7 results)
