メタルフリーＰＥＣＶＤ成長ナノ結晶グラフェン薄膜の詳細解析とデバイス応用
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12F02791
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Microdevices/Nanodevices
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| Research Institution | Japan Advanced Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
水田 博 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SCHMIDT Marek 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 外国人特別研究員
SCHMIDT Marek 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2014)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2014: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2013: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2012: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
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| Keywords | マイクロ・ナノデバイス / 先端機能デバイス / ナノ材料 / 電子デバイス・機器 / グラフェン / ナノ結晶薄膜 / CVD / ポイントコンタクト / ナノリボン / TEM / ホッピング伝導 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
メタル触媒フリーPECVD技術により作製したナノ結晶グラフェン（NCG)薄膜上に、電子線リソグラフィ技術とドライエッチングを用いて、チャネル長・幅が100 ～ 50 nmの微細ポイントコンタクト（PC）をチャネルと、２つのサイドゲート、およびバックゲートを備えたポイントコンタクト型トランジスタ（PC-Tr）を作製するプロセスを新たに開発した。作製したPC-Trの電気特性の温度依存性をT = 300 K ～ 5.2 K の範囲で測定した結果、チャネル抵抗が223 K付近で極大値を示すことがわかった。この振る舞いは２０個以上の作製デバイス全てに共通して観測されることから、NCG薄膜内のナノ結晶グレイン＆グレインバウンダリの微視的構造によるキャリア散乱に起因するものと考えられ、乱雑系におけるアンダーソン局在の理論モデルと定性的に合う振る舞いを示すことがわかった。また、低温領域ではPC-Trのコンダクタンスが温度にほとんど依存しないことから、グレインバウンダリによるトンネル障壁を介した直接トンネリングが支配的であるとの結論を得た。
これと平行して、電界電離ガスイオン源（GFIS: Gas Field Ion Source）微細加工システムを用いて、収束ヘリウムイオンビームミリングによる超微細・高精度グラフェンナノリボン加工技術の構築を推進し、サスペンデッド状態の単層・多層グラフェン上に極細ナノリボンを作製工することに成功した。さらに収束窒素イオンビームによる膜厚5nmのNCG薄膜の直接加工を試み、～20nmのナノギャップ構造の形成にも成功した。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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Report
(3 results)
Research Products
(8 results)
