モディファイドシリカガラスを用いた紫外ファイバーレーザーへの挑戦
| Project/Area Number |
15350119
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic industrial materials
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
細野 秀雄 東工大, 応用セラミックス研究所, 教授 (30157028)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大登 正敬 昭和電線電纜(株)研究開発部, 主任研究員
神谷 利夫 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 (80233956)
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| Project Period (FY) |
2003 – 2004
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2004)
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| Budget Amount *help |
¥14,700,000 (Direct Cost: ¥14,700,000)
Fiscal Year 2004: ¥3,700,000 (Direct Cost: ¥3,700,000)
Fiscal Year 2003: ¥11,000,000 (Direct Cost: ¥11,000,000)
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| Keywords | 紫外ファイバー / セリウムイオン / ガラス |
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| Research Abstract |
本年度は、Ce^<3+>を活性イオンとし、モディファイドシリカガラスにドーピングをおこなったバルクガラスとそれを紡糸したファイバーを作製し、以下の結果を得た。
1.Modified SiO^2ガラスとして、P, B,およびB+Pの共ドープをした試料を作製した。その結果、Ce^<3+>の発光波長のピークはnon-doped(420nm)〜B(415nm)>P(360nm)>B+P(330nm)と大きく変化し、ドーピングの効果が顕著に現れることがわかった。同時にその励起スペクトルのピーク位置も敏感にシフトし、non-doped(340nm)〜340nm(B)>P(300nm)>B+P(280nm)となった。すなわち、ドーパントとしてPはBと比べると極めて有効に働くことがわかった。発光波長が可視から紫外にシフトし、ストークスシフトの大きさが著しく減少する。蛍光寿命は60nsから30ns程度に減少した。
2.パルスESR法で上記の試料について、4KでのElectron Spin Echo Envelope Modulationを測定した。いずれの試料においても3パルス法で明瞭なESEEMシグナルが観測され、それをフーリエ変換することによりCe^<3+>の近傍に位置する磁気イオンを同定した。その結果、^<31>P、^<10,11>Bに相当する周波数にピークが得られた。現在そのパターンのsimulationを行うことによって、配位構造の決定を行っている。
3.バルクとファイバとの発光特性を比較をおこなったが、顕著な違いは見られなかった。
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Report
(1 results)
Research Products
(4 results)
