| Project/Area Number |
15F15023
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Condensed matter physics II
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
上床 美也 東京大学, 物性研究所, 教授 (40213524)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
WANG BOSEN 東京大学, 物性研究所, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2015-04-24 – 2017-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2016)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2015: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | 高圧 / 電荷秩序 / 超伝導 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
特別研究員として在任中、多くの試料についてその圧力効果の研究を行った。
（１）KFe2As2は、約15GPa以上で出現する圧力誘起正方晶相において、10K以上の高い超伝導転移温度を示すと報告されていたが、その真偽が疑われていた。本研究では、良質単結晶を用いた17GPaまでの圧力下において静水圧性を考慮した研究を行った。常圧における3K付近の超伝導転移温度は10GPaで消失した。さらに14GPa以上で出現した圧力誘起正方晶相でも、超伝導が出現しなかった。このことは、一次転移(構造相転移等)を伴なう高圧下の物性研究には静水圧環境が不可欠であり測定環境に十分配慮しなければならない事を示唆している。
（２）電荷秩序と超伝導の競合の研究を行う目的で、1T-TaX2（x=Se,S）の圧力効果の研究を行った。1T-TaS2は、常圧下でCDWとモット絶縁体が競合する物質であるが、圧力下で超伝導が出現する事が報告されている。本研究では、1T-TaS2、1T-TaSSe、1T-TaS0.8Se1.2、1T-TaSe2の圧力下電気抵抗測定を行い、全ての試料で圧力誘起超伝導が出現する事を明らかにし、その圧力相図を完成させた。
（３）層状化合物(Eu3-nSrn)Bi2S4F4（n=1,2）はBiS2相がその超伝導の起源として報告されている。Euの価数揺動と超伝導の関係を明らかにする目的で、圧力効果の研究を行った。その結果、Euの価数転移と超伝導の出現はあまり関係が無い事を明らかにした。その他、高温超伝導物質、KCa2Fe4As4F2、SrxBi2Se3、他、電荷秩序化合物TaTe2、他、等の物質の研究を行いその圧力相図を明らかにした。
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| Research Progress Status |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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Report
(2 results)
Research Products
(7 results)
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[Presentation] Superconducting phase diagram of KFe2As2 under hydrostatic pressure2016
Author(s)
Bosen Wang, Kazuyuki Matsubayashi, Jinguang Cheng, Taichi Terashima, Kunihiro Kihou, Shigeyuki Ishida, Chul-Ho Lee, Akira Iyo, Hiroshi Eisaki, Yoshiya Uwatoko
Organizer
The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES)
Place of Presentation
Zhejiang Unibersity,（China, Hangzhou）
Year and Date
2016-05-09
Related Report
Int'l Joint Research
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[Presentation] 磁性半導体Yb5Ge4の圧力効果2015
Author(s)
小坂昌史, 切金大介, 町田阿弓, 道村真司, 片野進, Bosen Wang, 松林和幸, 上床美也
Organizer
日本物理学会
Place of Presentation
関西大学 大阪府・吹田市
Year and Date
2015-09-17
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