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Development of digital etching of 2D layered materials using the inward plasma method

Research Project

Project/Area Number 15K13310
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Allocation TypeMulti-year Fund
Research Field Nanomaterials engineering
Research InstitutionNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Principal Investigator

Miyawaki Jun  国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 主任研究員 (20358138)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 久保 利隆  国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 研究グループ長 (70344124)
Project Period (FY) 2015-04-01 – 2017-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2016)
Budget Amount *help
¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2015: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Keywords二次元層状物質 / プラズマ / エッチング
Outline of Final Research Achievements

Two-dimensional layered materials, such as graphene and transition metal chalcogenides, have recently attracted much attention as materials for next-generation nano-electronic devices. Such materials usually perform novel functions when fabricated as atomically flat mono- or a few- layer samples. For fabrication of electronic devices, it is thus essential to control their thickness with layer-by-layer manners. We have attempted to develop a digital-etching technique of such materials by using our novel inward-plasma technique. For molybdenum disulfide, terrace region with micrometer order was fabricated, which may be used for electronic devices in the lab.

Report

(3 results)
  • 2016 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2015 Research-status Report
  • Research Products

    (18 results)

All 2017 2016 2015

All Presentation (17 results) (of which Int'l Joint Research: 7 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Presentation] Morphology and electrical studies on defect-induced transition metal dichalcogenide nanosheet by O2 plasma treatment2017

    • Author(s)
      安藤淳、宮脇淳、堀川昌代、清水哲夫、久保利隆
    • Organizer
      ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知県春日井市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Etching morphology of HOPG and Molybdenum Disulfide (MoS2) treated with inward-plasma2017

    • Author(s)
      久保利隆、宮脇淳、清水哲夫、新堀俊一郎、高橋賢、安藤淳
    • Organizer
      ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知県春日井市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Buffer gas effect on the silicon etch rate in the CF4 inward plasma2017

    • Author(s)
      狩野諒、菅洋志、新堀俊一郎、高橋賢、久保利隆、安藤淳
    • Organizer
      ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知県春日井市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Single Layer Etching of MoS2 using Inward-Plasma2016

    • Author(s)
      久保 利隆、宮脇 淳、清水 哲夫、新堀俊一郎、高橋 賢、安藤 淳
    • Organizer
      日本化学会第96春季年会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都府京田部市)
    • Year and Date
      2016-03-25
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] 吸引プラズマによるSi基板の高速局所エッチング加工2016

    • Author(s)
      宮脇 淳、狩野 諒、菅 洋志、久保 利隆、安藤 淳、新堀俊一郎、高橋 賢、清水 哲夫
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • Year and Date
      2016-03-21
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] Fast local etching of Si substrates using inward plasma2016

    • Author(s)
      宮脇 淳、狩野 諒、菅 洋志、久保 利隆、安藤 淳、新堀俊一郎、高橋 賢、清水 哲夫
    • Organizer
      ISPlasma2016
    • Place of Presentation
      名古屋大学(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2016-03-09
    • Related Report
      2015 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] STMとモンテカルロシミュレーションによる二次元層状物質の単層プラズマエッチング形状2016

    • Author(s)
      久保利隆、宮脇淳、清水哲夫、新堀俊一郎、高橋賢、安藤淳
    • Organizer
      ナノ学会
    • Place of Presentation
      北九州国際会議場(福岡県北九州市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] 酸素プラズマ処理を用いた欠陥導入に伴う層状半導体の電気特性変化2016

    • Author(s)
      安藤淳、久保利隆、堀川昌代、宮脇淳、清水哲夫、森貴洋
    • Organizer
      ナノ学会
    • Place of Presentation
      北九州国際会議場(福岡県北九州市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] 吸引プラズマの精密エッチングレート制御2016

    • Author(s)
      狩野諒、菅洋志、新堀俊一郎、高橋賢、宮脇淳、久保利隆、安藤淳、清水哲夫
    • Organizer
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] 吸引プラズマを用いたMoS2表面の層状エッチング形状2016

    • Author(s)
      久保利隆、宮脇淳、清水哲夫、新堀俊一郎、高橋賢、安藤淳
    • Organizer
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] 吸引プラズマエッチング法を用いたSiO2ダイヤフラム構造作製技術の開発2016

    • Author(s)
      狩野諒、菅洋志、新堀俊一郎、高橋賢、久保利隆、安藤淳、清水哲夫、宮脇淳
    • Organizer
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] STM observation and Monte Carlo simulation of Molybdenum Disulfide (MoS2) Treated with Inward-Plasma Etching2016

    • Author(s)
      宮脇淳、久保利隆、清水哲夫、新堀俊一郎、高橋賢、安藤淳
    • Organizer
      ICSPM24
    • Place of Presentation
      ハワイコンベンションセンター(米国ハワイ州)
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Morphology and Electrical Studies on Defect-induced MoS2 Nanosheet by O2 Plasma Treatment2015

    • Author(s)
      安藤 淳、堀川 昌代、宮脇 淳、清水 哲夫、久保 利隆
    • Organizer
      23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
    • Place of Presentation
      ニセコプリンスホテル(北海道虻田郡ニセコ町)
    • Year and Date
      2015-12-10
    • Related Report
      2015 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 2D Network-like Nanostructure of Molybdenum Disulfide (MoS2) Formed by Inward-Plasma Etching2015

    • Author(s)
      久保 利隆、宮脇 淳、清水 哲夫、新堀俊一郎、高橋 賢、安藤 淳
    • Organizer
      International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
    • Place of Presentation
      ニセコプリンスホテル(北海道虻田郡ニセコ町)
    • Year and Date
      2015-12-10
    • Related Report
      2015 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 二次元原子薄膜材料の単層剥離技術の開発2015

    • Author(s)
      久保 利隆、宮脇 淳、清水 哲夫、新堀俊一郎、高橋 賢、安藤 淳
    • Organizer
      真空・表面科学合同講演会
    • Place of Presentation
      茨城県つくば市
    • Year and Date
      2015-12-03
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] 吸引型プラズマによる二次元層状物質の広範囲単層エッチング2015

    • Author(s)
      宮脇 淳、久保 利隆、清水 哲夫、新堀俊一郎、高橋 賢、安藤 淳
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-16
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] 吸引型プラズマによる二次元層状物質の単層エッチング2015

    • Author(s)
      久保 利隆、宮脇 淳、清水 哲夫、新堀俊一郎、高橋 賢、安藤 淳
    • Organizer
      ナノ学会第13回大会
    • Place of Presentation
      東北大学(宮城県仙台市)
    • Year and Date
      2015-05-11
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] プラズマエッチング装置2016

    • Inventor(s)
      清水哲夫、宮脇 淳、他6名
    • Industrial Property Rights Holder
      産業技術総合研究所、三友製作所
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2016-050793
    • Filing Date
      2016-03-15
    • Related Report
      2015 Research-status Report

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Published: 2015-04-16   Modified: 2018-03-22  

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