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空孔規則相シリサイド半導体の構造物性

Research Project

Project/Area Number 17656227
Research Category

Grant-in-Aid for Exploratory Research

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Structural/Functional materials
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

乾 晴行  京都大学, 工学研究科, 教授 (30213135)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 田中 克志  京都大学, 工学研究科, 助教授 (30236575)
岸田 恭輔  京都大学, 工学研究科, 助手 (20354178)
Project Period (FY) 2005
Project Status Completed (Fiscal Year 2005)
Budget Amount *help
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 2005: ¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Keywordsラインコンパウンド / 空孔規則相 / シアー構造 / アダプティブ構造 / インコメンシュレート相 / 熱電特性 / 電気伝導度 / 熱伝導率
Research Abstract

組成幅がほとんどない化合物であるラインコンパウンドには,組成が古典的な化学量論に従わず構成元素比が整数でないものが多数存在する.このようなラインコンパウンドの基本的構造はほとんど既知であるが,実際には基本構造に多量の構造的原子空孔が組み込まれた空孔規則相として存在することが多い.特異な構造ゆえにラインコンパウンド空孔規則相には,その基本構造では考えられない高電気伝導度や低熱伝導率などの特異な物性を示すものがしばしば存在する.最近,我々は新たな熱電変換材料を探索する中,ReSi_<2-X>(X=0.25)やBa_8Ge_<46-X>(X=3)がこのような特異な物性を示すラインコンパウンド空孔規則相であることを発見し,本研究では,構造,特に「空孔規則構造」と「構造と物性の強相関」に関する系統的理解を目指して研究を行った.ReSi_<2-X>では,Reとの価電子数の多寡により空孔濃度を増減させることができ,その結果インコメンシュレート相が形成されるが,合金元素量増加に伴いインコメンシュレート構造は,シアー構造からアダプティブ構造へと変化する.この変化がおきる合金組成は合金元素に依存し,Moなどでは少ない添加量でこの変化が起こるものの,Ru, Fe, Cr, Nbなどでは固溶限ぎりぎりまでシアー構造が安定となる.熱電特性は概して,シアー構造を取る場合に低く,アダプティブ構造を取る場合に高い.たとえば,2%程度の合金添加でアダプティブ構造が形成されるMo添加の場合,[001]方向で得られた無次元性能指数は800KでZT=0.85(n型)であり,2元系Reシリサイドをはるかに凌駕する.添加量としては,シアー構造からアダプティブ構造へ変化するぎりぎりの組成で最も性能が良く,それ以上の添加ではかえって特性を悪くする.

Report

(1 results)
  • 2005 Annual Research Report
  • Research Products

    (6 results)

All 2006 2005

All Journal Article (6 results)

  • [Journal Article] Crystal Structure Refinement of a Type-I Clathrate Compound Ba_8Ge_<43> with an Ordered Arrangement of Germanium Vacancies2006

    • Author(s)
      N.L.Okamoto, K.Tanaka, H.Inui
    • Journal Title

      Acta Materialia 54・1

      Pages: 173-178

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Formation of a Series of Chimney-Ladder Compounds in the Ru-Re-Si System2006

    • Author(s)
      B.A.Simkin, A.Ishida, N.L.Okamoto, K.Kishida, K.Tanaka, H.Inui
    • Journal Title

      Acta Materialia (in press)

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Crystal Structure and Thermoelectric Properties of the Type-I Clathrate Compound Ba_8Ge_<43> with an Ordered Arrangement of Ge Vacancies2006

    • Author(s)
      N.L.Okamoto, M-W.Oh, T.Nishii, K.Tanaka, H.Inui
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics 99・3

      Pages: 33513-33513

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Anisotropy of Mobility Ratio Between Electron and Hole along Different Orientations in ReGe_XSi_<1.75-X> Thermoelectric Single Crystals2005

    • Author(s)
      J-J.Gu, M-W.Oh, H.Inui, D.Zhang
    • Journal Title

      Physical Review B 7141

      Pages: 113201-113204

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Directional Thermoelectric Properties of Ru_2Si_32005

    • Author(s)
      B.A.Simkin, Y.Hayashi, H.Inui
    • Journal Title

      Intermetallics 13・11

      Pages: 1225-1232

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Enantiomorph Identification of Transition-Metal Disilicides with the C40 Structure (the Space Group of P6_222 and P6_422) by New Convergent-Beam Electron Diffraction2005

    • Author(s)
      H.Sakamoto, A.Fujii, K.Tanaka, H.Inui
    • Journal Title

      Acta Materialia 53・1

      Pages: 41-52

    • Related Report
      2005 Annual Research Report

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Published: 2005-04-01   Modified: 2016-04-21  

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