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バンプレス接続によるチップオンフイルムとフイルム折曲げによる3D-SiPの作製

Research Project

Project/Area Number 17760281
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electron device/Electronic equipment
Research InstitutionKyushu University

Principal Investigator

池田 晃裕  Kyushu University, 大学院・システム情報科学研究所, 助教 (60315124)

Project Period (FY) 2005 – 2007
Project Status Completed (Fiscal Year 2007)
Budget Amount *help
¥3,100,000 (Direct Cost: ¥3,100,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2006: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Keywordsチップオンフィルム / ポリイミドフイルム / 乗り越え配線 / チップ積層 / Chip on film / ポリイミド / メタルマスク / バンプレス接続 / Chip on Film / ポリイミドエッチング / マルチチップパッケージ
Research Abstract

昨年に引き続き,ポリイミドフイルム(25μm厚)乗り越え配線による2つのチップ電極間接続の研究を行った.昨年度はメタルマスクを用いた蒸着方によりAl配線を堆積していたが,今年は配線ピッチ縮小をねらい, Cu蒸着と厚膜レジスト(東京応化,PMER)により乗り越え配線のパターニングを行った.配線の形成には,リフトオフ,あるいはウエットエッチングを試みた.Cuの厚さは450nm,チップ間の配線長さは8mmであった.導通試験の結果,隣接ピッチ75μm,配線幅50μmのパターンはいずれの方法でも,フイルム段差部分で断線が起こった.隣接ピッチ150μm,配線幅100μmのパターンは,ウエットエッチングにより段差部分の乗り越え配線を形成することができた.20本の配線を測定して13本で導通していた.電極間配線の抵抗の平均値は9.3Ωで,最小値は7.2Ω,最大値は14.9Ωであった.かなりばらつきが大きいが,段差部分の配線幅や膜厚がばらついているためであると考えられる.フイルム側壁には接着剤であるポリイミド前駆体が若干はみ出しており,側壁部分が均一でないことが関連していると考えられる.Cuの抵抗率をバルクの抵抗値である1.7×10^<-8>Ω・mで計算すると,配線の抵抗値は寸法から3.0Ωであり,実測値はそれよりも若干高い.次に配線接続した2つのチップを180度折り曲げて積層して測定した.フィルム配線が外側を向くように折り曲げて,両面テープで2つのチップを固定した.折り曲げられたフィルム配線の片側全面に銀ペーストを塗布し,Cu基板に固定して,Cu基板と表側のチップ電極間の導通状態を測定した.表側のチップ電極から,裏面の銀ペースト塗布面までの配線距離は,ほぼ4mmである.測定の結果,折り曲げる前は13本の導通であったが,折り曲げ後は11本の導通となった.配線の抵抗値は平均21.1Ω,最大値40.0Ω,最小値7.6Ωであった.抵抗が増加したのは,銀ペースト部分の抵抗が高いためであると考えられる.

Report

(3 results)
  • 2007 Annual Research Report
  • 2006 Annual Research Report
  • 2005 Annual Research Report
  • Research Products

    (7 results)

All 2007 2006 2005

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 3 results)

  • [Journal Article] Uniformity of an Electroless Plated Ni on a Pad Connected to Different Siza Pads or a Pn Junction for Under Bump Metallurug in a Flip-Chip Assembly2007

    • Author(s)
      Akihiro, Ikeda, et. al.
    • Journal Title

      IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies Vol.30,No.3

      Pages: 494-499

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Argon-hydrogen plasma cleaning effect on electroless Ni plating for under bump metallurgy of solder bump2007

    • Author(s)
      Akihiro, Ikeda, et. al.
    • Journal Title

      Proceeding of International Symposium on Dry Process

      Pages: 65-66

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effects of Electroless Ni/Sn Bump Formation Using Hydrogen-Plasma Reflow on the Electrical Characteristics of MOSFETs2007

    • Author(s)
      Akihiro, Ikeda, et. al.
    • Journal Title

      Proceeding of 9th Electronics Packaging Technology Conference(EPTC 2007)

      Pages: 926-930

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Mobility change of MOSFETs in a chip-stacked multichip package2006

    • Author(s)
      Akihiro Ikeda, et al.
    • Journal Title

      Electronics and Communications in Japan (Part II : Electronics) 89・7

      Pages: 1-8

    • NAID

      210000169079

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] Si貫通電極形成のためのディープエッチングと側壁酸化膜の形成2006

    • Author(s)
      池田晃裕, et a1.
    • Journal Title

      電応研テクニカルレポート 16・1

      Pages: 23-25

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] A Study of the Reliability of MOSFETs in Two Stacked Thin Chips for 3D System in Package2005

    • Author(s)
      Akihiro Ikeda, et al.
    • Journal Title

      Proc. IEEE 43rd International Reliability Physics Symposium

      Pages: 578-579

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] チップスタック型マルチチップ実装におけるMOSFETの移動度の変動について2005

    • Author(s)
      池田晃裕, et al.
    • Journal Title

      電子情報通信学会論文誌 C Vol.J88-C・No.11

      Pages: 866-873

    • NAID

      110003496099

    • Related Report
      2005 Annual Research Report

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Published: 2005-04-01   Modified: 2016-04-21  

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