Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions
| Project/Area Number |
17H04812
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
Yajima Takeaki 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (10644346)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2019)
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| Budget Amount *help |
¥24,700,000 (Direct Cost: ¥19,000,000、Indirect Cost: ¥5,700,000)
Fiscal Year 2019: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2018: ¥17,160,000 (Direct Cost: ¥13,200,000、Indirect Cost: ¥3,960,000)
Fiscal Year 2017: ¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
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| Keywords | 酸化バナジウム / 金属絶縁体転移 / モットトランジスタ / シングルドメイン / 微細化 / スケーリング / ジュール熱 / 非平衡 / 不安定 / 相共存 / 不均質性 / スティープスロープ / 電子・電気材料 / 低消費電力 / 電界効果トランジスタ / VO2 / ナノ構造 / 強相関エレクトロニクス / 結晶成長 / ナノ材料 / 電子デバイス・機器 |
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| Outline of Final Research Achievements |
The VO2-channel transistor with metal-insulator transition was scaled down. A discontinuous switching with the single domain operation was successfully demonstrated. The results indicate the inhomogeneity of the phase transition was suppressed and the intrinsic property of the material was successfully utilized in the device operation.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
相転移を利用した低電圧動作トランジスタを作製する際に、相転移に一般的な空間的不均質性をどう抑制するかは本質的な課題であった。今回の結果は、この課題を解決した点で、相転移トランジスタ研究の一つのマイルストーンだと言える。また今回作成したシングルドメインデバイスは、相転移トランジスタのデバイス物理を構築するための重要な基本デバイスとなることが期待できる。
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Report
(4 results)
Research Products
(13 results)
