Large area germanene growth on the single-crystal graphene template
Project/Area Number |
17K18224
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Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Research Field |
Nanomaterials engineering
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | National Institute for Materials Science (2018) Toyota Technological Institute (2017) |
Principal Investigator |
Suzuki Seiya 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYS研究員 (90590117)
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Research Collaborator |
Yoshimura Masamichi
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Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2019-03-31
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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Budget Amount *help |
¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
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Keywords | ゲルマネン / グラフェン / X線光電子分光 / チップ増強ラマン散乱分光 / ラマン散乱分光 / 単原子層物質 / チップ増強ラマン散乱 / エピタキシャル成長 / ナノ材料工学 / 層状物質 |
Outline of Final Research Achievements |
In this work, we have aimed to grow germanene at an interface for its electronic device applications. As a result, we have succeeded to segregate the germanene thin film with a few monolayers at the interface between graphene and Au-Ag-Ge solid solution by annealing the graphene/Au/Ag/Ge on Si. We revealed that the top graphene layer protects the germanene thin film at the interface from oxidation in air.
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Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
本成果は、グラフェンとの界面に原子層レベルのGe薄膜を合成した初めての成果である。特に、グラフェンのファンデルワールス相互作用が界面の析出への影響が弱く、他の金属/金属、酸化物/金属界面とは異なる可能性を示唆した点に、材料科学における学術的な意義がある。また今回実証したグラフェンの高いガスバリア性は、他の原子層物質の保護や合成界面にも応用可能である。
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Report
(3 results)
Research Products
(5 results)