Study on SiC Super-Junction Power MOSFETs Utilizing Ion Implantation and Embedded Epitaxial Growth
| Project/Area Number |
18206032
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
TSUNENOBU Kimoto Kyoto University, 大学院・工学研究科, 教授 (80225078)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
JUN Suda , 京都大学・工学研究科, 准教授 (00293887)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥48,230,000 (Direct Cost: ¥37,100,000、Indirect Cost: ¥11,130,000)
Fiscal Year 2008: ¥11,700,000 (Direct Cost: ¥9,000,000、Indirect Cost: ¥2,700,000)
Fiscal Year 2007: ¥15,210,000 (Direct Cost: ¥11,700,000、Indirect Cost: ¥3,510,000)
Fiscal Year 2006: ¥21,320,000 (Direct Cost: ¥16,400,000、Indirect Cost: ¥4,920,000)
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| Keywords | シリコンカーバイド / パワーデバイス / 超接合 / MOSFET / イオン注入 / 埋め込み成長 |
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| Research Abstract |
次世代の高性能パワーデバイスとして期待されるSiCパワーMOSFETの特性を極限まで向上させるため、多層pn接合の多次元空乏化を利用する超接合構造に着目した。イオン注入や埋め込み成長により形成したpn接合特性の解析、MOS界面特性の向上、高精度デバイスシミュレーションによる構造設計や微細加工技術を集約して、耐圧1580V、オン抵抗40mΩcm2という優れた性能を達成した。この特性はSiデバイスの理論限界より20倍優れている。
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Report
(4 results)
Research Products
(38 results)
