Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics
| Project/Area Number |
18686005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
NAKATSUKA Osamu Nagoya University, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥30,420,000 (Direct Cost: ¥23,400,000、Indirect Cost: ¥7,020,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,110,000 (Direct Cost: ¥4,700,000、Indirect Cost: ¥1,410,000)
Fiscal Year 2007: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000)
Fiscal Year 2006: ¥17,940,000 (Direct Cost: ¥13,800,000、Indirect Cost: ¥4,140,000)
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| Keywords | ゲルマニウム / コンタクト / 界面 / ジャーマナイド / ULSI / プロセス技術 / 結晶工学 / ニッケル / 電子・電気材料 |
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| Research Abstract |
次世代超々大規模集積回路の高性能化、低消費電力化に期待される高移動度ゲルマニウム(Ge)チャネルデバイス実現のために、金属電極/Ge界面の低抵抗化、熱的安定性向上を目指して金属/Ge界面の結晶構造および電気伝導特性制御に関する研究を行った。ニッケルジャーマナイド(NiGe)への白金(Pt)添加を施し形成した(Ni1-xPtx)Ge層によって、従来のNiGeよりも熱的安定性に優れたジャーマナイド/Geコンタクト形成に成功した。また、金属/Ge界面制御を施した金属/GeコンタクトのSchottky障壁高さ評価から、フェルミレベルピニングを解消し、低Schottky障壁高さを実現するための知見を得た。
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Report
(4 results)
Research Products
(11 results)
