二硫化モリブデンを用いた超高感度ピエゾ抵抗型のカンチレバーバイオセンサの開発
| Project/Area Number |
18J12689
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Research Field |
Nano/Microsystems
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| Research Institution | Tohoku University |
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| Research Fellow |
朱 敏杰 東北大学, 工学研究科, 特別研究員(PD)
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| Project Period (FY) |
2018-04-25 – 2020-03-31
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| Project Status |
Discontinued (Fiscal Year 2019)
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| Budget Amount *help |
¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2019: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2018: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
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| Keywords | バナジウムドープ二硫化モリブデン / 圧力センサ / トランジスタ / ピエゾ抵抗素子 / 二硫化モリブデン / バナジウムドーピング / ひずみセンサ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は昨年度に成長した優れた電特性を持つバナジウム(V)ドープした二硫化モリブデン(MoS2)薄膜を用いて、高感度なピエゾ抵抗型の圧力センサを開発している。圧力センサの製作プロセスを確立した。まず、シリコンの上に窒化物を感圧膜として化学気相成長(CVD)により成膜した。MoS2薄膜はCVD法に成膜し、微細加工でピエゾ抵抗素子を作成した。リフトオフで金属膜を成膜してから、反応性イオンエッチングにより、シリコンをエッチングした。世界初のVドープしたMoS2薄膜を用いた圧力センサを製作した。VドープしたMoS2薄膜の電気特性をさらに知るために、VドープしたMoS2薄膜に基づく、トランジスタの製作プロセスを確立した。Vのドーピング量により、各種のトランジスタを実際に制作した。
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| Research Progress Status |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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Report
(2 results)
Research Products
(4 results)
