| Project/Area Number |
19656013
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
|
|---|
| Research Institution | Sendai National College of Technology |
|---|
Principal Investigator |
HAGA Koichi 仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (30270200)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥3,200,000 (Direct Cost: ¥3,200,000)
Fiscal Year 2008: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
|
|---|
| Keywords | 酸化亜鉛 / 薄膜 / ベータジケトン系原料 / エピタキシャル成長 / 酸化亜鉛基板 / βジケトン系原料 / 有機金属 |
|---|
| Outline of Final Research Achievements |
酸化亜鉛(ZnO)薄膜のホモエピタキシャル成長は有機金属気相成長(MO-CVD)法を適用し、そのZn原料としてベータジケトン材料であるZn(C_9H_<15>O_3)_2を使用した。また、堆積基板に使用したZnO表面の平坦性及び清浄化を得るために、高温熱処理及びArイオンエッチングを行った。
エピ成長したZnO薄膜は極めて平坦性と結晶性が優れていたが、Zn(C_9H_<15>O_3)_2原料が経時変化しやすく、薄膜物性値の再現性を得ることが非常に難しい結果となった。
|
