Optical characterization of AlN p-n junction diode
Project/Area Number |
19686003
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Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
Principal Investigator |
TANIYASU Yoshitaka NTT Basic Research Laboratories, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (20393738)
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Project Period (FY) |
2007 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥25,610,000 (Direct Cost: ¥19,700,000、Indirect Cost: ¥5,910,000)
Fiscal Year 2009: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2007: ¥14,170,000 (Direct Cost: ¥10,900,000、Indirect Cost: ¥3,270,000)
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Keywords | 結晶工学 / 結晶成長 / 先端機能デバイス / 半導体物性 / 光物性 / 窒化物半導体 / A1N / 発光ダイオード / 紫外 |
Research Abstract |
深紫外半導体発光デバイス材料として期待されている窒化アルミニウム(AlN)の基礎物性を解明するため、pn接合型AlN深紫外発光ダイオード(LED)などを作製して、それらの特性を評価した。まず、AlNの励起子物性、結晶欠陥の光電子物性、p型ドーピング機構などを解明した。また、AlNはバンド構造の特殊性から、従来の半導体にはなかった強い偏光性を有することを明らかにした。このAlN特有の強い偏光性を活かした高効率AlN深紫外LED構造を提案して、動作確認を行った。
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Report
(4 results)
Research Products
(51 results)
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[Presentation] AlN deep-UV light-emitting diodes2007
Author(s)
Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto
Organizer
18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2007)
Place of Presentation
Maritim hotel, Berlin, Germany
Year and Date
2007-09-13
Related Report
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Author(s)
Y.Taniyasu
Organizer
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Place of Presentation
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