A position-controlled single electron transistor using anodization process of a barrier metal
| Project/Area Number |
19710118
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Microdevices/Nanodevices
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
KIMURA Yasuo Tohoku University, 電気通信研究所, 助教 (40312673)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,690,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 単電子 / 自己組織化 / 陽極酸化 / ナノチューブ / ナノドット / クーロンブロケード / ポーラスアルミナ / 酸化チタンナノチューブ |
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| Research Abstract |
アルミニウム細線の陽極酸化過程に及ぼす細線の断面構造の影響を調べた。その結果、アルミニウム細線のアスペクト比が陽極酸化過程に大きな影響を与えており、そのアスペクト比によって陽極酸化過程を制御することが可能であることがわかった。また、その制御された陽極酸化過程を利用して単電子トランジスタを作製し、それが室温で動作することを確かめた。本研究で提案するハイブリッドプロセスは室温動作可能なSETを作製するための有力なプロセスであることを強く示唆している。
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Report
(3 results)
Research Products
(30 results)
