Development of selective strain controlling technique in Silicon Germanium hetero-structures
| Project/Area Number |
19760011
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
|
|---|
| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
SAWANO Kentarou Musashi Institute of Technology, 工学部, 講師 (90409376)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥3,380,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,600,000)
|
|---|
| Keywords | SiGe / 歪み / イオン注入法 |
|---|
| Research Abstract |
これまで半導体技術は素子の縮小化によって発展を遂げてきたが、近年その縮小化に物理的限界が近づき、新たな技術革新が必須となっている。その中で、シリコン(Si)に結晶歪みを加えた「歪みSi」チャネルが実デバイスに導入されるに至った。今後のさらなるLSIの発展に向けて、この「歪み」の役割がますます高まることは必至であり、歪み制御技術の高度化、新技術開発は最重要かつ不可欠な課題である。本研究では、これまでとは全く異なる新手法を用いた歪みの制御技術開発を行った。具体的には、イオン注入法による選択的欠陥導入を行い、SiGe層における歪み場分布の面内任意制御および異方性歪み場を実現することに成功した。
|
Report
(3 results)
Research Products
(30 results)
