Development of the high stability and high resolution CdTe radiation detector by the control of the CdTe crystal surface
| Project/Area Number |
19760050
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied physics, general
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| Research Institution | University of the Ryukyus |
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Principal Investigator |
YAMAZATO Masaaki University of the Ryukyus, 工学部, 准教授 (10322299)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,520,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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| Keywords | 放射線 / X線 / 粒子線 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 放射線検出素子 / テルル化カドミウム / 表面処理 / プラズマ表面処理 / ショットキー電極 |
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| Research Abstract |
本研究では,CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った.従来,Inがショットキー電極として用いられてきたが,Alがショットキー電極として用いて素子を作製した.その結果,241Amからの放射線計測において,半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し,Inと同等以上の特性が得られることを示した.また,Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより,ポラリゼーション現象が大きく改善され,従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが,20時間の連続計測が可能になることを示した.また,Alを電極として用いることにより,In電極の時には難しかった電極分割が可能となり,素子のピクセル化が容易になることを明らかにした.さらに,Tiもショットキー電極として有効であることを示した.本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は,CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて,基盤的な技術になるものと考えている.
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Report
(3 results)
Research Products
(18 results)
