| Project/Area Number |
19760214
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Shinshu University |
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Principal Investigator |
LIU Xiaoxi Shinshu University, 工学部, 准教授 (10372509)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,720,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | 軟磁性薄膜 / 高周波デバイス / ナノ結晶薄膜 / 飽和磁束密度 / 保磁力 / ナノ結晶 / 透磁率 / 高透磁率 |
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| Research Abstract |
無線LANやBluetoothに代表される高速、大容量通信機器の集積化、小型化および省エネルギー化のため、現在の空芯インダクタに替わって、薄膜磁芯インダクタの実用化が急務である。しかし、通常の磁性薄膜はGHz帯域では共鳴損失が大幅に増加するため、その適用は困難である。この問題を克服のために、FeCo/NiFe積層薄膜、FeCo/反磁性体積層薄膜、FeCo/酸化物グラニュラー薄膜など薄膜構造の提案がある。一方、本課題では、これまでに例のない、アセチレンガス導入による反応性スパッタ法を用いて形成するFeCo磁性薄膜を、薄膜インダクタ用磁芯材料として提案する。高飽和磁化を示すFeCo合金薄膜は,異方性磁界Hkを大きくすることによって,共鳴周波GHzまでの広帯域化が可能となる。本研究の目標は、共鳴周波数は3GHz以上、比透磁率実部は1000以上、4πMsは20kG以上の高性能薄膜磁芯の開発である。
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