| Project/Area Number |
19760235
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
ISHIKAWA Hiroyasu Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 准教授 (20303696)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
HARA Yousuke (株)シリコンテクノロジー
NAKANISHI Masami (株)シリコンテクノロジー
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| Project Period (FY) |
2007 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,520,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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| Keywords | 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / ポーラスSi / 窒化ガリウム(GaN) / 有機金属気相成長(MOCVD) / 陽極化成 / エピタキシャルSi |
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| Research Abstract |
廉価・高性能な発光ダイオード(LED)の実現に向け、新たな基板(ポーラスSi(PSi))を作製し、この上にLED用半導体材料(GaN)を形成する実験を行った。従来問題となった反りおよび歪みが低減され優れた発光特性を得たが、ヒビやポンホールが観察され平坦性が悪かった。調査したところPSi基板が高温時に変形することが原因であることがわかった。この変形を抑制することで上記問題が大幅に改善された。
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