| Project/Area Number |
19F19354
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Review Section |
Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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| Host Researcher |
荻野 拓 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (70359545)
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| Foreign Research Fellow |
SUGALI PAVAN KUMAR NAIK 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2019-10-11 – 2022-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2020)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2020: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2019: ¥400,000 (Direct Cost: ¥400,000)
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| Outline of Research at the Start |
本申請は、独自開発の物質を活用した革新的超伝導バルク磁石の開発を目指す研究である。申請者らのグループで見出された鉄系超伝導体CaKFe4As4は、高い転移温度と臨界電流密度を持つが、合成条件が非常に狭く線材化のめどは立っていない。一報超伝導バルク磁石応用ではシース材が不要なことから、CaKFe4As4の高い特性を活かすことが可能である。CaKFe4As4は他にも様々な利点を持ち、これまでの超伝導バルク磁石では不可能であった高い磁場均一性や大幅な低コスト化が可能である。本研究によるコンパクトで安価、かつ取扱の容易な超伝導バルク磁石により、バルク磁石の大幅な普及が期待できる。
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