Research Project
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
GaNの深部に伝搬する貫通転位を非破壊で解析するための手法としてハイパーラマン散乱測定を提案し、深部の歪場を検出することを目的とします。多光子励起フォトルミネッセンス測定により転位の三次元座標を特定し、転位近傍の歪場をハイパーラマン散乱測定により計測します。転位による歪場を計算により求め、マッピング測定結果と一致するような結果が得られれば、転位の種類を含めた三次元・非破壊分析が可能となります。