Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors

Research Project

Project/Area Number	19K22143
Research Category	Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
Research Institution	Kyoto Institute of Technology
Principal Investigator	西中浩之京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 助教 (70754399)
Project Period (FY)	2019-06-28 – 2021-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2019)
Budget Amount *help	¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000) Fiscal Year 2020: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000) Fiscal Year 2019: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Keywords	混晶 / コランダム / 格子整合 / 酸化インジウム / 酸化アルミニウム
Outline of Research at the Start	大きなバンドギャップを有するα-Ga2O3は次世代パワー半導体として注目を浴びている。このα-Ga2O3はAl2O3とIn2O3と広範に固溶するため、その固溶体を利用したヘテロ接合デバイスに向けた研究が進められている。現状ではヘテロ接合デバイスを作製する環境が揃っていながら、いまだにそのデバイス報告はなされていない。そこで本研究では、これらの停滞を打ち破るため、新しい材料系であるα-(InxAl1-x)2O3半導体の開拓を行い、格子整合系ヘテロ接合デバイスに向けた二次元電子ガス形成を目的とする。そのα-(InxAl1-x)2O3はミストCVD法を用いて形成し、二次元電子ガスの評価を行う。