高温CVD法による高速SiCバルク結晶成長における転位低減機構解明と限界探求

• Project/Area Number: 20H00356
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Central Research Institute of Electric Power Industry
• Principal Investigator: 土田 秀一 一般財団法人電力中央研究所, 材料科学研究所, 領域リーダー 副研究参事 (60371639)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥33,540,000 (Direct Cost: ¥25,800,000、Indirect Cost: ¥7,740,000); Fiscal Year 2021: ¥10,920,000 (Direct Cost: ¥8,400,000、Indirect Cost: ¥2,520,000); Fiscal Year 2020: ¥12,220,000 (Direct Cost: ¥9,400,000、Indirect Cost: ¥2,820,000)
• Keywords: 4H-SiC / 結晶成長 / 高温CVD法 / 転位 / 応力

Outline of Research at the Start

本研究では、SiCバルク結晶を高温CVD法によって従来法（昇華法）の約10倍程度の速度（数mm/h）で成長させ、放射光X線トポグラフィ等による転位評価結果を得るとともに、その評価結果をウェハ中の応力を考慮した転位動力学シミュレーション結果と照合することで、結晶成長に伴う転位の運動・低減過程ならびにそのメカニズムを明らかにする。さらに、成長速度を高めた際の転位評価と応力解析を通じて、高温CVD法による高速成長における転位低減の限界を探求する。