ナノサイズ高感度磁気再生素子を実現するＣＰＰ－ＡＭＲ単結晶薄膜材料の開発

• Project/Area Number: 20H02177
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 角田 匡清 東北大学, 工学研究科, 准教授 (80250702)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 古門 聡士 静岡大学, 工学部, 教授 (50377719)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥17,810,000 (Direct Cost: ¥13,700,000、Indirect Cost: ¥4,110,000); Fiscal Year 2021: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2020: ¥6,890,000 (Direct Cost: ¥5,300,000、Indirect Cost: ¥1,590,000)
• Keywords: 磁気抵抗効果 / スピントロニクス

Outline of Research at the Start

伝導電子が結晶格子の熱振動によって散乱されるまでに移動する平均的距離よりも薄い強磁性単結晶薄膜を用いた膜面垂直通電（CPP）トランスバース（Tr）異方性磁気抵抗（AMR）効果の研究を行う。大きなCPP-Tr-AMR効果を示す強磁性薄膜材料を電子論的起源の観点から探索・開発し、新たな磁気センサー素子の実現を目指す。
本研究の成果から得られるセンサー素子では、室温でも実用上必要な大きさの信号強度が期待できるため、超高密度ハードディスク（HDD）を実現する革新的な技術となる。