空間対称性の破れの制御によるスピン軌道トルクの増強と3次元メモリへの展開

• Project/Area Number: 20H02182
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 加藤 剛志 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (50303665)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 大島 大輝 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任助教 (60736528)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥17,810,000 (Direct Cost: ¥13,700,000、Indirect Cost: ¥4,110,000); Fiscal Year 2021: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2020: ¥8,580,000 (Direct Cost: ¥6,600,000、Indirect Cost: ¥1,980,000)
• Keywords: 電子・電気材料 / 磁性材料 / スピントロニクス

Outline of Research at the Start

スピン軌道トルク（SOT）磁化反転は磁性層に隣接する非磁性層に電流を流すことで磁化反転を行なうもので，既存のスピン移行トルク（STT）磁化反転に比べ1/5程度の消費電力で10倍高速に磁化反転ができると考えら，今後のSociety 5.0を支える大容量磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）への応用研究が進められている．本研究は磁性材料に空間反転対称性の破れを人工的に導入することで，SOT磁化反転の高効率化を図るとともに，これを利用した3次元メモリの原理実証を行なう．