ナノサンドイッチ構造・高キャリア注入による超高性能超電導薄膜線材の創製

Research Project

Project/Area Number	20H02184
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Seikei University
Principal Investigator	三浦正志成蹊大学, 理工学部, 教授 (10402520)
Project Period (FY)	2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2020)
Budget Amount *help	¥18,070,000 (Direct Cost: ¥13,900,000、Indirect Cost: ¥4,170,000) Fiscal Year 2021: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000) Fiscal Year 2020: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Keywords	ナノひずみ / キャリア / 対破壊電流密度
Outline of Research at the Start	超電導は、抵抗ゼロで大電流を流せるため送電、発電、蓄電や電動機など次世代電気機器応用に期待されている。応用上重要な臨界電流密度(Jc)を理論限界であるクーパー対が壊れる対破壊電流値(Jd)の最大40%まで向上させることを目的に、本研究では、独自の非超電導相導入技術に加えて、『ナノひずみとキャリア』を人工制御するすることでJcを最大にする超電導材料設計の指針を確立する。