化合物半導体障壁を用いた磁気トンネル接合の創製

• Project/Area Number: 20H02186
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 葛西 伸哉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, グループリーダー (20378855)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 三浦 良雄 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, グループリーダー (10361198) ; 高橋 有紀子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, グループリーダー (50421392)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥17,290,000 (Direct Cost: ¥13,300,000、Indirect Cost: ¥3,990,000); Fiscal Year 2021: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000); Fiscal Year 2020: ¥11,700,000 (Direct Cost: ¥9,000,000、Indirect Cost: ¥2,700,000)
• Keywords: スピントロニクス / 磁気トンネル接合

Outline of Research at the Start

強磁性金属上への化合物半導体成長技術を構築することで、半導体の低バンドギャップ特性を活かした超低抵抗・高出力磁気トンネル接合の実現を目指す。また、強磁性金属・化合物半導体界面に特徴的な界面電子状態を利用することで、大容量磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)実現のために必要な界面誘導垂直磁気異方性を実現する。垂直磁気異方性の特異な電圧応答を利用することで新規磁化反転手法を構築し、超低消費電力駆動が可能なMRAM機能の実現を目指す。