シリコンを含む磁性接合におけるスピン伝導物理の解明と制御

Research Project

Project/Area Number	20H02199
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	中根了昌東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 (50422332)
Project Period (FY)	2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2020)
Budget Amount *help	¥17,680,000 (Direct Cost: ¥13,600,000、Indirect Cost: ¥4,080,000) Fiscal Year 2021: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000) Fiscal Year 2020: ¥9,880,000 (Direct Cost: ¥7,600,000、Indirect Cost: ¥2,280,000)
Keywords	半導体スピントロニクス / シリコンデバイス
Outline of Research at the Start	シリコン電界効果型トランジスタに伝導電子スピンの効果を取り入れたシリコンベーススピントランジスタの磁気抵抗効果を高めるために、低抵抗かつ高効率なスピン注入源となる強磁性トンネル接合を創製する。その目的を達成するために、スピン依存トンネル現象を定量的に解析して物理を明らかにするとともに、材料と作製条件の探索をおこない作製技術の開発をおこなう。トンネル障壁層の材料として、Siを酸窒化したSiONとエピタキシャルフェライト薄膜を用いて研究を遂行する。