Spin-dependent electron transport through Si-based magnetic tunnel junctions
Project/Area Number |
20H02199
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
Nakane Ryosho 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 (50422332)
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Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2022)
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Budget Amount *help |
¥17,680,000 (Direct Cost: ¥13,600,000、Indirect Cost: ¥4,080,000)
Fiscal Year 2022: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2021: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2020: ¥9,880,000 (Direct Cost: ¥7,600,000、Indirect Cost: ¥2,280,000)
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Keywords | 電子デバイス / 電子スピン伝導物理 / スピントロニクス / 半導体スピントロニクス / シリコンデバイス |
Outline of Research at the Start |
シリコン電界効果型トランジスタに伝導電子スピンの効果を取り入れたシリコンベーススピントランジスタの磁気抵抗効果を高めるために、低抵抗かつ高効率なスピン注入源となる強磁性トンネル接合を創製する。その目的を達成するために、スピン依存トンネル現象を定量的に解析して物理を明らかにするとともに、材料と作製条件の探索をおこない作製技術の開発をおこなう。トンネル障壁層の材料として、Siを酸窒化したSiONとエピタキシャルフェライト薄膜を用いて研究を遂行する。
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Outline of Final Research Achievements |
This project studied physics on spin-dependent electron transport via Si-based magnetic tunnel junctions as well as via Si inversion channels. Original theories were establised and used for the analyses of experimental spin-transport signals. The detailed analyses clarified physics that is very useful knowledge for high-performance Si-based spin transistors.
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Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
次世代IoT社会の実現に極めて有用なデバイス「シリコンベーススピントランジスタ」を実用に近づけるために重要な知見を多数明らかとした。また、オリジナルな物理モデルを確立して電子スピン伝導物理の詳細を定量的に解明した。この学術の深化は、該当研究分野の進展に大きく貢献することが期待できる。
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Report
(4 results)
Research Products
(12 results)