次世代コンピューティング技術構築に向けた高速サブバンド間遷移不揮発メモリの開発

Research Project

Project/Area Number	20H02214
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	永瀬成範国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80399500)
Project Period (FY)	2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2021)
Budget Amount *help	¥17,940,000 (Direct Cost: ¥13,800,000、Indirect Cost: ¥4,140,000) Fiscal Year 2022: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2021: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000) Fiscal Year 2020: ¥11,830,000 (Direct Cost: ¥9,100,000、Indirect Cost: ¥2,730,000)
Keywords	窒化物半導体 / 量子井戸 / トンネル現象 / 超高速情報処理
Outline of Research at the Start	窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオードでのサブバンド間遷移現象を用いることで、高速な不揮発メモリの実現を期待できる。しかし、この不揮発メモリの実現には、Siデバイスや他の不揮発メモリとの集積化を可能にする結晶成長技術やプロセス技術の確立が重要となる。本研究課題では、これらの技術の実現により、SRAMと同等な高速性を持つ不揮発メモリを実現するための基盤技術を構築し、将来の省エネルギー技術として期待されているノーマリ―オフコンピューティング技術の実現に貢献することを目的とする。