• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to previous page

Thin-film transistors composed of rare-earth hydride semiconductors and their 1S-band superconductivity

Research Project

Project/Area Number 20K04583
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionOkayama University of Science

Principal Investigator

Nakamura Osamu  岡山理科大学, 研究・社会連携センター, 教授 (60749315)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 花尻 達郎  東洋大学, 理工学部, 教授 (30266994)
酒井 政道  埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40192588)
Project Period (FY) 2020-04-01 – 2024-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2022: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2021: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Keywords希土類 / 水素 / 薄膜 / トランジスタ / 薄膜トランジスタ / 4f電子 / 半導体薄膜 / イッテリビウム / イットリビウム / 半導体 / TFT / 4f電子
Outline of Research at the Start

希土類二水素化物のYbH2および希土類三水素化物のYH3はいずれも半導体であり、その価電子帯は主に水素1s軌道から構成される。したがって、これらの水素化物半導体は、本来的に強い電子ー格子相互作用を伴った伝導系と云える。それを顕在化するには、フェルミ準位を価電子帯に置いて正孔を導入させれば良い。本研究では、①希土類水素化物半導体をチャネル層に用いた電界効果型の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下TFT)を製作し、②そのチャネル層に正孔を誘起して(価電子帯に擬フェルミ準位を置き)水素1sバンド伝導による超伝導の実現を図る。

Outline of Final Research Achievements

Among the rare-earth hydrides, we focused on YbH2 (and YH3), for which there were insufficient data on resistivity and optical yields. Our hydride preparation method consisted of a Pt catalyst layer (4-5 nm)/Yb film (40 nm-300 nm) with a YbH2 film formed in a hydrogen atmosphere. For this purpose, we established the preparation conditions of YbH2 and the method of removing the Pt layer. Optical measurements of the YbH2 films were performed and correlated with band calculations. The electronic state near the Fermi level was clarified, and the operation of YH3 was not stabilized due to hydrogen desorption and so on. Therefore, we focused on YbH2 and tried to make a transistor. However, no transistor operation was achieved.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

この研究の目的は、希土類水素化物半導体の価電子帯(1sバンド)のホール伝導をみるために実現し、希土類水素化物半導体の薄膜トランジスタを作成して、ゲート電極にマイナス電圧を印加してチャネル層にホールを誘起してCorrelated Transfer効果(J. E. Hirsh, Phys. Rev. B 48 (1993)3327)による超伝導を実現することにあった。
しかしながら、動作するTFT試作に至らず、目的を達成していない。しかしながら、YbH2の光学データの面では、学術的に貢献できたと考えている。

Report

(5 results)
  • 2023 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2022 Research-status Report
  • 2021 Research-status Report
  • 2020 Research-status Report
  • Research Products

    (6 results)

All 2022 2021

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (5 results)

  • [Journal Article] Hall effect in ytterbium hydrides2021

    • Author(s)
      Satoru Kitsunai, Daiki Fujii, Toshihiro Yoshizumi a, Shigehiko Hasegawa , Osamu Nakamura, Masamichi Sakai
    • Journal Title

      Physics Letters A

      Volume: 419 Pages: 1277401-4

    • Related Report
      2021 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Pt キャップ付き YbH2± 膜の Pt 除去プロセス及び除去後の膜の光学特性2022

    • Author(s)
      中村 修 , 栗田満史 2, 酒井政道 ,吉住年弘 , 花尻達郎
    • Organizer
      第69回 応用物理学会春期学術講演会
    • Related Report
      2021 Research-status Report
  • [Presentation] イッテルビウム二水素化物膜の電気伝導特性評価2021

    • Author(s)
      橘内 悟,吉住 年弘, 中村 修 , 長谷川 繁彦 , 酒井 政道
    • Organizer
      第82回 応用物理学会秋期学術講演会
    • Related Report
      2021 Research-status Report
  • [Presentation] イッテルビウム三水素化物膜の合成と伝導特性の評価2021

    • Author(s)
      橘内 悟、藤井 大樹、吉住 年弘、長谷川 繁彦、中村 修、酒井 政道
    • Organizer
      第68回 応用物理学会春期学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report
  • [Presentation] Evaluation of AlN-Pt as a hydrogen catalyst film2021

    • Author(s)
      Yodkitti Tachalert1、Tetsuya Fujino1、Masahide Tokuda、Osamu Nakamura、Masamichi Sakai、Tatsuro Hanajiri
    • Organizer
      第68回 応用物理学会春期学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report
  • [Presentation] YH3 を用いたFET の作製及びその電気的特性の評価2021

    • Author(s)
      藤野 哲也、タチャラート ヨドキッティ、徳田 正秀、中村 修、酒井 政道、花尻 達郎
    • Organizer
      第68回 応用物理学会春期学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report

URL: 

Published: 2020-04-28   Modified: 2025-01-30  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi