| Project/Area Number |
20K04583
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | Okayama University of Science |
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Principal Investigator |
中村 修 岡山理科大学, 研究・社会連携センター, 教授 (60749315)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
花尻 達郎 東洋大学, 理工学部, 教授 (30266994)
酒井 政道 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40192588)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2020)
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| Budget Amount *help |
¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2022: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2021: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
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| Keywords | 希土類 / 水素 / 半導体 / TFT / ４ｆ電子 |
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| Outline of Research at the Start |
希土類二水素化物のYbH2および希土類三水素化物のYH3はいずれも半導体であり、その価電子帯は主に水素1s軌道から構成される。したがって、これらの水素化物半導体は、本来的に強い電子ー格子相互作用を伴った伝導系と云える。それを顕在化するには、フェルミ準位を価電子帯に置いて正孔を導入させれば良い。本研究では、①希土類水素化物半導体をチャネル層に用いた電界効果型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下TFT）を製作し、②そのチャネル層に正孔を誘起して（価電子帯に擬フェルミ準位を置き）水素1sバンド伝導による超伝導の実現を図る。
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