| Project/Area Number |
21246003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Tokyo City University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MARUIZUMI Takuya 東京都市大学, 工学部, 教授 (00398893)
NOHIRA Hiroshi 東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
SAWANO Kentarou 東京都市大学, 工学部, 准教授 (90409376)
SETO Kenshu 東京都市大学, 工学部, 講師 (10420241)
XU Xuejun 東京都市大学, 総合研究所, 研究員 (80593334)
XIA Jinsong 東京都市大学, 総合研究所, 助手 (00434184)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
NAKAGAWA Kitokazu 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
MATSUI Toshiaki 独立行政法人情報通信研究機構, 専攻研究員 (20358922)
MIYATA Noriyuki 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40358130)
USAMI Noritaka 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (20262107)
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| Project Period (FY) |
2009 – 2012
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2012)
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| Budget Amount *help |
¥40,820,000 (Direct Cost: ¥31,400,000、Indirect Cost: ¥9,420,000)
Fiscal Year 2012: ¥5,590,000 (Direct Cost: ¥4,300,000、Indirect Cost: ¥1,290,000)
Fiscal Year 2011: ¥9,100,000 (Direct Cost: ¥7,000,000、Indirect Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2010: ¥10,400,000 (Direct Cost: ¥8,000,000、Indirect Cost: ¥2,400,000)
Fiscal Year 2009: ¥15,730,000 (Direct Cost: ¥12,100,000、Indirect Cost: ¥3,630,000)
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| Keywords | ゲルマニウム / 量子ドット / フォトニック結晶 / シミュレーション / 歪み / 微小共振器 / 導波路 / 光電子融合デバイス / マイクロディスク / 高誘電率絶縁膜 |
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| Research Abstract |
We established essential technologies for realization of Ge optoelectronic devices on the Si platform, which are promising innovative devices with high performances and low power consumption toward next-generation LSI (Large Scale Integration), along with simulation technologies. We succeeded in formation of novel strained Ge channel structures and strained Ge-on-Insulator, room-temperature strong electroluminescence from photonic crystal and microdisk maicrocavities with Ge quantum dots and their coupling with optical waveguide.
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