Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
電位依存性K+チャネル(Kv)による膜電位の制御は、膜電位存在下の「静止構造」と脱分極時の「開構造」に起因する。しかし、膜電位存在下の「静止構造」は、従来の構造生物学的手法では解析が困難であった。 本研究では、電位センサードメインの2つのヘリックスに1残基ずつにシステイン変異を導入し、側鎖のSH基間をSS結合で架橋するSS-locking法を用いて、膜電位非存在下で「静止構造」を安定化させる。この手法を利用して「静止構造」の立体構造を極低温電子顕微鏡X線結晶構造解析により原子レベルで明らかにし、Kvに普遍的な機能発現メカニズムを解明する。