| Project/Area Number |
24H00432
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
草場 彰 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926)
杉山 佳奈美 京都大学, 工学研究科, 助教 (70974377)
新田 州吾 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (80774679)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥47,840,000 (Direct Cost: ¥36,800,000、Indirect Cost: ¥11,040,000)
Fiscal Year 2024: ¥13,260,000 (Direct Cost: ¥10,200,000、Indirect Cost: ¥3,060,000)
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| Keywords | 化学気相成長 / 表面プロセス / 反応経路探索 |
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| Outline of Research at the Start |
半導体テクノロジー推進の根幹である化学気相成長は、気相反応、表面反応、固相拡散の素過程が絡み合う複雑系であり、その体系化は科学・工学分野における重要な研究課題である。本研究では、化学気相成長プロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術（eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition, eXS2-CVD）を開発・展開し、化学気相成長に関する普遍的な物理学的知見を明らかにする。
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