トンネルFET構造による3D-NANDフラッシュメモリの超多値化

Research Project

Project/Area Number	24K00935
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Kyushu University
Principal Investigator	木野久志九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (10633406)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	田中徹東北大学, 医工学研究科, 教授 (40417382) 福島誉史東北大学, 工学研究科, 准教授 (10374969)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000) Fiscal Year 2026: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000) Fiscal Year 2025: ¥6,890,000 (Direct Cost: ¥5,300,000、Indirect Cost: ¥1,590,000) Fiscal Year 2024: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000)
Keywords	半導体 / メモリ / トンネル効果
Outline of Research at the Start	高度情報化社会において、データを保存するストレージデバイスの大容量化は社会的に強く望まれている。SSD (Solid State Drive)やSDカードには3D-NANDフラッシュメモリが用いられており、世界中で大容量化の研究開発がなされている。3D-NANDフラッシュメモリには情報の多値化技術が用いられており、大容量化に大きく貢献している。しかしながら多値化は4bitで飽和しつつあり、5bit以上の超多値化を可能とする技術が強く望まれている。本研究ではヘテロ接合を用いたトンネルFET構造をフラッシュメモリ適用した独自構造により、3D-NANDフラッシュメモリの超多値化を目指す。