Structural control of semiconductor surfaces through chemical etchings assisted by two dimensional materials

• Project/Area Number: 24K01179
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 26030:Composite materials and interfaces-related
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 宇都宮 徹 京都大学, 工学研究科, 助教 (70734979)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2026: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2025: ¥5,590,000 (Direct Cost: ¥4,300,000、Indirect Cost: ¥1,290,000); Fiscal Year 2024: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000)
• Keywords: 二次元材料 / シリコン / エッチング

Outline of Research at the Start

半導体表面への三次元構造形成技術は電子デバイス製造に必須であり，より簡便な形成技術には産業的にもニーズがある．私たちの研究グループでは酸化グラフェンを触媒としたシリコンのウェットエッチングを報告した．しかし「なぜこの二次元材料がアシストエッチング触媒として機能するのか」という学術的な疑問は残されている.本研究では触媒となる二次元材料の電子構造・化学構造からエッチング反応活性の起源にアプローチする.次に化合物半導体のアシストエッチングに挑み，半導体側の電子構造とエッチング反応の関係を明らかする.半導体材料一般の触媒アシストエッチングプロセスデザインに貢献できる学理構築を行う．