Investigation of the annealing response of GaN using single-mode microwaves and development of an annealing process

Research Project

Project/Area Number	24K07591
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	鄭恵貞名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10898399)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	田中敦之名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (30774286)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2025: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2024: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Keywords	GaN / Microwave annealing
Outline of Research at the Start	本研究は、窒化ガリウム（GaN）の加熱方法に関する革新的なアプローチを提案している。従来の方法では、主に熱伝導による加熱が行われてきたがこの研究ではGaNの極性を利用した直接加熱法としてマイクロ波加熱を導入する。一般的なマイクロ波加熱は、電場と磁場がランダムに作用するマルチモードが用いられているが、GaNのような極性がある材料を効率的に加熱するためには、極性に適したマイクロ波の当て方を採用する必要がある。本研究では、炉内に定在させた電場や磁場のみを作用させる技術を開発し、GaNの結晶方位とマイクロ波の電場/磁場ベクトルとの関係が加熱効果に与える影響を明らかにすることを目指している。