固体界面構造・電子状態観測を可能にするXAFS用高耐圧Auger電子分析器の開発

Research Project

Project/Area Number	24K15591
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 80040:Quantum beam science-related
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	小川智史名古屋大学, 工学研究科, 助教 (70739101)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2025: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000) Fiscal Year 2024: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Keywords	表界面計測 / X線吸収微細構造 / 固体界面
Outline of Research at the Start	担持触媒や半導体デバイスなど、多くの材料系で表界面物性が極めて重要な役割を果たす一方で、表界面のみを選択的に測定する手法は限られる。その一つにAuger電子収量法（AEY）によるX線吸収微細構造（XAFS）分析がある。AEYは静電半球型アナライザー（CHA）を必要とするが、CHAは光電子分光測定用に高分解能かつ低感度となっており、必ずしもAEY-XAFSには適さない。そこで本研究では、XAFS専用の高感度円筒鏡型アナライザー（CMA）の開発を行う。XAFS測定時に生じる高エネルギーAuger電子を分光可能とした高耐圧CMAを制作し、多くの試料系に適用可能なAEY-XAFS法を確立する。