斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究

Research Project

Project/Area Number	24K17313
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Meiji University
Principal Investigator	横川凌明治大学, 理工学部, 助教 (10880619)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Keywords	X線非弾性散乱 / 界面 / 表面
Outline of Research at the Start	「モノのインターネット社会」到来へ向け、ウェアラブルデバイスの発達とともに自立運用を達成するための新たな発電デバイスの確立が急務となり、低熱伝導率を発現する微細構造を有したIV族半導体、主にシリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)が注目されている。しかし、電気伝導と比較して熱輸送の評価・実証は難しく、特に表面および異種界面における熱伝導の理解に重要なフォノン(格子振動の量子化)散乱機構の解明が進んでいない。本研究では放射光技術を用いた斜入射X線非弾性散乱法によるフォノンスペクトルおよび分散評価に着手することで、SiおよびGeの表面・界面近傍のフォノン散乱機構を明らかにすることを目的としている。