大規模反応ネットワークで捉える気相成長理論の開拓

• Project/Area Number: 24K17619
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 草場 彰 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
• Keywords: 気相成長 / 結晶成長素過程 / 表面反応 / 反応経路自動探索 / 量子化学計算

Outline of Research at the Start

気相中の化学反応から表面上の結晶成長素過程までを一貫して速度論の形式で捉え直すことにより、プロセス・インフォマティクスとの親和性が高い、新たな気相成長理論を打ち立てる。さらに、量子化学計算に基づく反応経路自動探索の手法を結晶成長という文脈で表面反応系に適用し、結晶成長メカニズムの自動探索を行う。以上は、結晶成長デジタルツイン自動構築技術の基礎となる。また、応用研究として、窒化ガリウム化学気相成長（GaN CVD）における高速成長と高純度を両立する速度論的成長条件の探索に取り組む。